典型應(yīng)用場景
集成電路等器件本身由于接觸分離或者摩擦帶電,在接觸或者處理器件時會發(fā)生放電,研究表明,帶電器件模型(CDM)對器件造成的損壞遠遠多于 HBM 和 MM,F(xiàn)-CDM_3kV靜電放電測試平臺適用于半導(dǎo)體器件、微電子器件、厚膜器件和電阻器基片、壓電晶體的靜電放電試驗。符合ANSI/ESDA/JEDEC JS-002-2018、AEC_Q100-011、AEC_Q101-005標準要求。
主要特點
1.試驗電壓可達3kV、精度高、分辨率高、穩(wěn)定性好
2.內(nèi)置標準等級,方便型式試驗的測試
3.全智能程控式設(shè)計,液晶顯示、操作方便
4.采用半導(dǎo)體電子開關(guān),壽命長,性能穩(wěn)定
5.集成了高倍顯微鏡、自動電機、CDM模塊于一體的模擬器